硅及先进半导体材料全国重点实验室2026年学术委员会会议暨战略研讨会顺利召开

发布者:张燕审核:姚旭霞终审:钱国栋发布时间:2026-05-15浏览次数:10

58-9日,浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室2026年学术委员会会议暨战略研讨会在杭州召开。学术委员会主任委员江风益院士、副主任委员成会明院士,以及学术委员会和战略咨询委员会委员张泽院士、褚君浩院士、许宁生院士、李树深院士、祝世宁院士、郝跃院士、沈保根院士、俞大鹏院士、刘明院士、杨德仁院士、张跃院士、刘益春院士、欧阳世翕教授、汪茫教授、陶绪堂教授、刘峰奇研究员、钱国栋教授、韩高荣教授、朱铁军教授、严密教授等出席会议。浙江大学党委常委、副校长陈刚教授、浙江大学科学技术研究院程术希副院长、浙江大学材料科学与工程学院党委书记黄任群同志、浙江大学杭州国际科创中心党委书记董世洪同志、实验室领导班子及固定人员代表等参加会议。

      会议的第一阶段开幕式由实验室常务副主任钱国栋教授主持。首先,陈刚副校长代表学校致辞欢迎各位委员的到来,诚挚感谢委员们长期以来支持指导实验室建设,同时也对实验室一年以来的取得的成绩表示衷心祝贺,并提出相关要求和期望。

会议第二阶段的学术委员会会议暨战略研讨会,由学术委员会主任江风益院士和学术委员会副主任成会明院士主持。实验室主任杨德仁院士汇报了2025年度实验室建设运行情况,涵盖了实验室定位与目标、学术成果、队伍建设与人才培养、运行管理、开放交流和发展规划等方面的情况。随后,实验室成员马向阳教授、张辉教授和戴兴良研究员分别汇报了掺氮直拉硅单晶研究的进展、大尺寸高质量氧化镓晶圆的进展与挑战、低维结构钙钛矿材料设计与微显示芯片构筑研究进展。实验室成员武左佐专职研究员、张斌副研究员、宋立辉研究员、蒋杰研究员分别作了主题为 “12英寸集成电路硅片化学机械抛光中的缺陷抑制与表面质量提升”“用于高纯石英砂提纯的浮选药剂设计与界面机理研究”“近地轨道热循环-电子辐照耦合下p-i-n结构碳化硅紫外探测器性能退化与缺陷演化动力学”和“环境与使役条件下硅/二维材料异质结构界面缺陷态演化及光热电耦合机制研究”的重点任务支持计划申报答辩。委员们对实验室在上一年度取得的进展高度赞扬和肯定,并针对实验室后续发展和全新挑战展开了讨论,在更好地服务国家战略需求、凝练核心优势、强化有组织科研和协同攻关方面等多个方面提出了重要建议意见。

会议最后,学术委员们评审了2026年的重点任务支持计划和开放课题,遴选出与实验室研究方向紧密结合的4个重点任务项目和12个开放课题项目。

浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室2026年学术委员会会议暨战略研讨会圆满结束!