二维半导体的掺杂调控与高性能神经形态器件

二维半导体的掺杂调控与高性能神经形态器件

报告时间：2026-04-25（周六） 上午10:00

报告地点：和同苑9幢材1-502

邀请人：任召辉 教授

刘锴 教授

清华大学

个人简介

刘锴，清华大学长聘教授，博士生导师，国家高层次人才特聘教授，先进材料教育部重点实验室副主任。在西安交通大学获学士学位，清华大学获博士学位，先后在清华大学和劳伦斯-伯克利国家实验室从事博士后研究。长期致力于低维范德华材料和智能电子器件研究。在Nature Electronics、Nature Synthesis等期刊上发表学术论文150余篇，总被引15000余次；授权发明专利60余项。获中国材料研究学会科学技术奖一等奖、国际材联前沿材料青年科学家奖、全国百篇优秀博士学位论文等奖励。担任中国材料研究学会青委会理事、纳米材料与器件分会理事，Rare Metals学术编辑，《宇航材料工艺》编委。

摘要

伴随着现代信息技术和人工智能的高速发展，半导体产业开启亚10 nm节点时代，纳米电子器件亟需突破算力和功耗瓶颈，满足多功能化和智能化的应用需求。开发具有低结构复杂性、高性能、多功能以及低能耗的神经形态纳米电子器件势在必行。二维纳米材料通过范德华界面作用形成，具有纳米级甚至原子级厚度、无悬挂键的表面和宽范围的带隙，有望突破物理极限产生变革性的器件原理和技术。在本报告中，报告人将介绍近年来在MoS₂、MoTe₂等二维范德华材料的掺杂调控和新原理神经形态器件等方面的探索工作。通过这些研究，有望为新型智能电子材料和器件的研发探索出新的思路。