2024年7月，硅及先进半导体材料全国重点实验室孵化企业杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体生长与衬底加工技术上取得突破性进展，成功制备出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，为目前国际上已报导的最大尺寸，达到国际领先水平。
3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底
在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底具有较快的外延生长速率；第三，基于（010）衬底制备的器件具有更优异的性能。目前，镓仁半导体推出晶圆级(010)氧化镓单晶衬底产品，该产品面向科研市场，满足科研领域对(010)衬底的需求，促进业内产学研协同合作。
杭州镓仁半导体有限公司主要从事氧化镓等半导体单晶材料的研发与生产，已获批国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业，并牵头获批浙江省科技厅“领雁”等多个项目，具有雄厚的生产研发实力。此前，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底。2024年4月，杭州镓仁半导体有限公司推出了新产品2英寸晶圆级(010)氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸(010)氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。未来，公司研发团队将继续开展自主创新工作，逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展，助力“碳中和”、“碳达峰”的发展目标。
