浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院杨德仁院士领衔的硅材料研究团队的皮孝东教授研究组近日在材料科学与工程领域的顶级综述期刊《Materials Science and Engineering R：Reports》 上发表了题为“Silicon nanocrystals: unfading silicon materials for optoelectronics”的长篇综述论文 [Materials Science & Engineering R 138 (2019) 85–117. DOI: 10.1016/j.mser.2019.06.001.]。该论文系统总结了硅材料的一种至关重要的纳米结构¾硅纳米晶体的光电性能调控及其器件应用，指出硅纳米晶体作为面向光电子应用的硅材料具有强大的生命力。尽管有关硅纳米晶体的研究面临着一系列挑战，但是未来的令人兴奋的发展值得期待。
硅纳米晶体是晶态的硅纳米颗粒。当其尺寸小于10 nm时，也可以叫作硅量子点。通过控制硅纳米晶体的尺寸，表面以及掺杂，硅纳米晶体的发光性能已得到很大改善。目前硅纳米晶体已实现了荧光量子效率超过60%的发光，在高性能发光二极管、电刺激-光输出神经突出器件以及下转换的光伏器件中展现出了重要的应用前景。近年来，利用掺杂等手段硅纳米晶体具备了从紫外到中红外的宽光谱吸收。这促进了硅纳米晶在新型的太阳电池、光电探测器以及光刺激-电输出光电神经突触器件中的应用。随着硅纳米晶体的电子和光学性能的不断提升，新颖光电器件结构的开发，硅纳米晶体有望为面向后摩尔时代的硅基光电集成和面向类脑计算的硅基光电集成等领域的发展作出重要贡献。
倪朕伊博士和周述博士是本综述论文的共同第一作者。相关工作得到了国家重点研发计划项目、国家基金委创新群体项目和国家基金委面上项目的支持。
论文连接：https://doi.org/10.1016/j.mser.2019.06.001
