宽禁带氧化物半导体材料、物性与器件应用
时间：2019年4月15日（星期一），下午14：00
地点：浙江大学玉泉校区硅材料国家重点实验室1号楼会议室
报告人：顾书林 教授
邀请人：杨德仁 院士
报告人简介：南京大学电子科学与工程学院教授、理学博士、博士生导师。国家杰出青年基金获得者，南京大学特聘教授。长期从事半导体异质结构材料与器件应用方面的研究工作，近几年主要从事宽禁带半导体材料与器件方面的研究工作,在宽禁带氧化物半导体材料生长设备研制、外延生长技术与原位掺杂、材料物理与新型器件探索等方面取得了系列创新研究成果。主持国家自然科学基金重大项目课题、国家“863”计划、国家“973”计划课题以及其他科研项目十多项。发表SCI学术论文270多篇,被SCI他引2800多次。参编两本半导体材料专著，获授权发明专利10多项。先后获国家技术发明三等奖、江苏省科技进步一等奖和国家自然科学二等奖以及教育部自然科学一等奖、江苏省青年科学家奖等多项奖励。
报告摘要：氧化锌具有极其优越的光电性能，特别是具有高达60 meV的激子束缚能，被认为是实现高性能紫外发光器件的优选材料，一度与氮化镓一样成为宽禁带半导体的代表之一。但氧化锌p型掺杂的严重技术困难阻碍了氧化锌材料的进一步发展及其光电器件的应用。另一方面，氧化镓半导体具有极大的反向饱和击穿场强和很高的巴利加品质因子，其优异的光电性能使其成为日盲紫外探测器件与功率器件的优选材料。目前国际上已形成氧化镓材料与器件的研究热潮，氧化镓亦已取代氧化锌成为氧化物半导体在宽禁带半导体中新的代表。本报告将从氧化物半导体的本征与共性特征出发对制约氧化锌半导体材料与器件的p型掺杂这一重大科学问题与技术难题进行深入的分析与探究，提出未来氧化物半导体材料与器件发展的可能技术途径与研究策略。报告将重点介绍近年来南京大学课题组为此在宽禁带氧化物半导体领域所进行的尝试与努力，特别是在氧化锌中的杂质缺陷行为与掺杂补偿调控、氧化锌基复合结构与器件应用、氧化镓基薄膜材料生长调控与肖特基二极管以及光电器件研制等方面的研究进展。
