叶志镇教授获2016年湖北省技术发明一等奖

项目名称：高光效LED芯片结构设计及先进制造技术

奖励类别：技术发明奖

获奖等级：一等奖

获奖人：叶志镇等

     该项目经10余年努力，发明倒装与垂直结构GaN-LED芯片及其制备技术、类超晶格与特殊孔洞结构的缓冲层及其制备技术、侧向光子晶体和复合透明导电膜等界面修饰集成制备技术、创新高深宽比高压LED芯片设计，隔离槽刻蚀、绝缘层沉积、金属连接制备技术等4项关键技术，指标国际先进、部分国际领先。有力提升我国高端芯片国际竞争力，倒装、高压与小间距显示屏等芯片制造技术已实现产业化。