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硅材料国家重点实验室主任杨德仁教授当选中科院院士

编辑:admin日期:2017-11-28 访问次数:1032


11月28日,中国科学院公布了2017年新增院士名单。浙江大学硅材料国家重点实验室主任杨德仁教授当选中国科学院院士。
杨德仁,男,汉族,1964年4月出生,江苏扬州人,1983年11月加入中国共产党,1991年6月参加工作,浙江大学半导体材料专业毕业,研究生学历,博士。现为浙江大学材料科学与工程学院教授,浙江大学硅材料国家重点实验室主任,博士生导师。2017年当选为中国科学院院士。
1981年9月至1991年6月为浙江大学材料科学与工程学院(系)本科、硕士和博士研究生。1993年浙江大学材料科学与工程博士后流动站出站,晋升副教授,其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。1995年初赴德国FREIBERG工业大学工作,1997年5月被浙江大学特批晋升教授,1998年初回国在浙江大学工作。
2000年受聘教育部长江学者奖励计划特聘教授,2002年获国家杰出青年科学基金,2011年获评浙江省特级专家,2007年和2013年担任两期“硅基光电子发光材料与器件”领域的973项目首席科学家,2017年获国家自然科学基金委创新研究群体项目。2008年至今兼任国家重大科技专项(02)专家组成员。
1998年起,先后任硅材料国家重点实验室副主任、主任;2003年起,先后兼任半导体材料研究所副所长、所长。
作为第一完成人,曾获国家自然科学奖二等奖2项、省部级科技一等奖4项。获全国五一劳动奖章,中国青年科技奖,全国优秀科技工作者,浙江省“十大时代先锋”等荣誉。
研究领域:长期从事超大规模集成电路用硅单晶材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件、纳米硅及纳米半导体材料等研究工作。
学术贡献:主要从事半导体硅材料研究,取得了系列创新成果。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题,促进了其在国际上的广泛应用;提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路,发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术,系统解决了相关硅晶体的基础科学问题,实现了实际应用;研究了纳米硅等的制备、结构和性能,成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料,为其器件研究和应用提供了材料基础。发表SCI论文680余篇,参编英文著作5部,授权国家发明专利130余项。



 
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