杨德仁教授获2015年浙江省技术发明一等奖

    直拉硅单晶是微电子和光伏产业的基础材料，数十年来，国内外通常认为：直拉硅单晶生长时除了掺杂剂以外应尽量避免其它杂质的引入，这样才能提高硅晶体质量以及器件的性能。而本项目在国际上首先提出"有意掺入微量锗杂质来调控直拉硅单晶中缺陷"的新思路，发明了微量掺锗直拉硅单晶及系列技术。其主要创新点如下：(1) 实现了直径150-300 mm掺锗直拉硅单晶的生长，提出了调控直拉硅单晶中缺陷的"杂质工程"的新概念。(2) 发明了微量掺锗直拉硅单晶的外延、吸杂等微电子器件相关的技术，实现其在微电子产业中的应用。利用掺锗实现重掺直拉硅单晶的晶格畸变补偿，制备了无失配位错的厚外延。(3) 发明了微量掺锗直拉硅单晶的低光衰减、薄片化等太阳能电池相关的技术，实现其在光伏产业中的应用。 项目获中国发明专利10项，美国发明专利1项，获"第十三届中国专利优秀奖"1项。在SOMAT等国外期刊上发表SCI论文46篇，约占国际同类论文的52%。自2007年以来，项目形成了系列产品，在微电子和光伏产业获得大规模应用。近3年新增微量掺锗直拉硅单晶销售12.1亿元，利税2.02亿元。