随着硅基光子学和光电子集成技术近几年来的迅猛发展，新材料，新结构，新概念的不断涌现， 硅基光电子材料及器件的研究得到了越来越多的关注和重视。 “全国硅基光电子材料及器件研讨会” 是每年举办一次的全国性重大学术活动，迄今已举办了10届。 其目的就是为全国从事硅基光电子学领域的研究、教学、生产和应用的科技工作者提供一个学术与技术交流的平台，展示我国在这一领域的新进展和新成就，探讨急需解决的问题和将来的发展方向。
2016年6月16日-19日由南京大学电子科学与工程学院，南京大学固体微结构物理国家重点实验室，浙江大学硅材料国家重点实验室承办的第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会在美丽的六朝古都-南京顺利召开。
会议由南京大学的陈坤基教授主持开幕式，南京大学电子科学与工程学院的施毅教授代表主办单位向来自全国各地和海外参加本次会议的各位学者和研究生致以诚挚的欢迎，接着浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授回顾了历届硅基光电子会议的情况，从中可以看出硅基光电子材料和器件领域研究队伍和影响力的在不断地发展壮大。在杨德仁教授宣布本届大会正式开幕后，来自日本名古屋大学的Seiichi Miyazaki教授、巴黎综合理工学院的Pere Roca i Cabarrocas教授、南京大学的刘辉教授 比利时根特大学的王�超研究员、上海交通大学的苏翼凯教授、日本NTT的章国强博士，电子科技大学的毕磊教授等就其相关研究领域的最新进展做了精彩的邀请报告。
大会分为“硅/锗量子点发光材料与器件”、“硅基光电子器件”、“硅/锗薄膜与器件”、“稀土掺杂薄膜及其它光电材料与器件”4个主题，总共进行了32场口头报告，每一场报告都在热烈的探讨中结束。还有来自北京大学、浙江大学、南京大学、南开大学、中科院半导体所、厦门大学、华中科技大学等高校和研究所的17位研究生以张贴报告的形式，向参会者展示了他们在硅基光电子材料和器件方面所做出的最新进展。经过会议评审，来自华中科技大学的童文渊等5位报告人分别获得了“张贴报告一等奖”和“二等奖”。本次会议还进行了以“硅上Ⅲ-Ⅴ族材料与器件”为主题的专题讨论。围绕着这一专题，各位专家学者和研究生踊跃发言，讨论目前发展的最新成果，共同探寻今后发展的方向。
来自北京大学的秦国刚院士、冉广照教授，浙江大学的杨德仁教授、江晓清教授、马向阳教授、李东升教授、皮孝东教授，中科院半导体所的成步文研究员、薛春来研究员、徐波研究员，华中科技大学的夏金松教授，南开大学的孙甲明教授，厦门大学的陈松岩教授等40多位国内外的专家学者参加了会议， 部分相关企业也派人参加会议听取会议报告，与会人数达百余人。大会最后在浙江大学硅材料国家重点实验室杨德仁教授主持下圆满地落下了帷幕。让我们下届厦门见！--文章引自南京大学电子科学与工程学院网
