报告题目: 集成电路产业技术发展的挑战
时间：4月18日下午2点
地点：硅材料国家重点实验室1号楼会议室
邀请人：杨德仁教授
报告人简介：
吴汉明，中国科技大学毕业，中科院力学所博士，美国加州大学Berkeley 大学博士后。曾任Intel 高级工程师，中芯国际技术研发副总裁。现任灿芯创智微电子技术公司总裁。
吴汉明博士主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代集成电路芯片工艺研发，解决了一系列大生产关键工艺难点，成果用于成套产品工艺并产业化。突破了我国IC芯片制造长期来受到的工艺制约，与世界先进水平差距从五代以上缩小到两代。发展建立的实用型非平衡低温等离子体混合模型/整体模型成为工艺研发的理论依据。指导参与了我国首台刻蚀机研发并成功用于大生产。牵头组织了国产材料验证和应用，创立设计IP公共平台（灿芯创智），推动了IC产业链发展，为国家战略需求奠定了技术基础。首次求得解析球形等离子体非线性自平衡解。发表论文105篇（47篇SCI, 500多次引用），授权发明专利87项(国际30项)，有的专利被世界龙头企业定为技术标准。五次获得省部级科技奖（包括三次国家奖）。获全国十佳优秀科技工作者和全国杰出专业技术人才等称号。
欢迎各位老师和同学参加！
