时间：2014年7月24日（星期四）下午14:00-15:00
地点：硅材料国家重点实验室1号楼会议室（104室）
主讲人：刘立军 , 西安交通大学
邀请人：余学功
题目：晶硅生长过程的模拟技术及其工程应用
主要内容：报告将首先介绍高温熔体晶体生长过程中的各种热物理问题，然后重点介绍晶体生长过程数值模拟技术的作用、基本概念、计算原理、实现过程和误差来源。结合高效太阳电池准单晶硅铸锭技术的研发过程为例，具体说明如何在关键工程技术研发过程中高效地应用数值模拟技术这一有效的研究手段。报告的最后还将简单介绍晶体生长数值模拟领域的前沿研究方向，以及报告人研究组在相关方向的主要研究进展。（数值模拟对于重现晶体生长过程中的各种复杂热物理化学现象、揭示内在机理、实现装备和工艺的优化方面具有独特的优势和重要性。随着现代科技和产业对晶体质量和生产成本提出越来越高的要求，以及计算机技术和计算技术的迅速发展，数值模拟已经成为晶体生长关键技术研发过程中有效且不可或缺的重要研究手段。）
刘立军，博士，西安交通大学“腾飞人才”特聘教授、博士生导师。1999年毕业于西安交通大学能源与动力工程学院，获工学博士学位。2000年至2002年在日本九州工业大学任日本学术振兴会（JSPS）外国人特别研究员，2002年至2007年在日本九州大学历任博士后研究员、助理教授（助手），2007年受聘西安交通大学能源与动力工程学院教授，2008年入选教育部新世纪优秀人才计划，2010年入选西安交通大学优秀青年教师跟踪支持计划，2011年受聘西安交通大学“腾飞人才”特聘教授。
研究方向为复杂热质输运系统的热物理和力学基础科学问题与关键技术的研发，在晶体生长过程的计算机模拟、优化和控制方面有长期较深入研究，自主研发了晶体生长热质输运过程模拟分析软件。发表论文200余篇，其中SCI收录论文60余篇，EI收录论文90余篇。
