时间：2014年7月15日（星期二）上午10:00-11:00
地点：硅材料国家重点实验室1号楼会议室（104室）
主讲人：张小威教授，KEK ，日本
邀请人：杨德仁
题目：单晶硅点缺陷形成机理的探索以及利用同步辐射对硅单晶完全性的评价
主要内容：1单晶硅的品质和半导体产业的进化；2单晶硅内点缺陷的形成机理
3利用同步辐射的单晶硅表征技术； 4同位素28Si单晶硅和千克标准再定义
5晶体（学）和同步辐射、Needs 和Seeds
张小威教授 1989－1991 年，在高能物理研究所的AR 环（6.5GeV）上主持设计、建设和安装了世界上第一条X 射线波荡器的束线和实验站。1991－1993 年，研发了X 射线波荡器分光晶体的冷却技术、光束位置检测器，以及强光用X 射线探测器。1992－1995 年，设计和调试表面界面结构分析用的六轴衍射仪（重量6 吨）以及分角仪的精度校正。1995 年，参加了MR（10GeV，3000m 大环）同步辐射光束线建设和相关的实验。1996－1999 年，从事金刚石单色器的研发工作以及Spring8 的BL9XU 建站工作，设计了核共振散射用高分辨单色器设备。1998－2002 年，从事迈克逊X 射线干涉仪和90 度X 射线衍射现象的研究工作。1998－2004 年，超高分辨晶格比较器方法的研发和利用X 射线的精密角度校正测量方法的研发。2004－2010 年，大尺寸多层膜的KB 聚焦镜的设计、新插入件束线的改建工作以及微通道水冷单晶硅加工的研发工作。菲涅尔大口径X 射线折射透镜的研发。2000 年-现在，单晶硅完整性的评价以及利用X 射线晶体密度法精确测量阿伏伽德罗常数的研究。2010 年-现在，利用同步辐射穆森堡尔谱学的表面磁性、界面磁性的研究。2010 年-现在，单晶硅拉晶速度与点缺陷形成模式的研究。2011 年-现在，利用X 射线棱镜的自由电子激光纳弧度角度修正系统的研发。2011 年-现在，X-band 高频加速管放电机制的研究。2011 年-现在，同步辐射pump probe ns 时间分辨材料热应力评价的研究。2011 年-现在，低温冷却X 射线半导体检测器的研制。2012 年-现在，利用同步辐射的材料疲劳现象的研究。2012 年-现在，利用偏振激光散射评价金属材料表面粗糙度的研究。2013 年-现在，利用X 射线散漫散射评价单晶硅点缺陷密度的研究。
