等离子体增强化学气相沉积法
发布者：系统管理员发布时间：2013-05-30浏览次数：6243
 | 仪器中文名称: 等离子体增强化学气相沉积法 |
| 仪器英文名称:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
| 规格型号: JZPE-350F | 产地: 中国 |
| 生产厂商: 聚智科技发展有限公司 | 仪器原值: 350000.00 |
| 应用领域: 材料学、晶体学、化学 | 使用方式: 不对外开放 |
| 运行状态: 正常 | 收费标准: ―― |
| 所在单位: 硅材料国家重点实验室 | 仪器负责人: 彭新生 |
| 安放地点: 硅材料国家重点实验室1号楼116室 | 联系电话: 0571-87951958 |
| 启用日期: 2011-09-01 | Email: pengxinsheng@zju.edu.cn |
设备信息
仪器主要用途 | 有机类金刚石膜的沉积。 | 主要技术指标 | 真空度可达到5*10 -3 Pa；基片温度可加热到600℃；可同时通3路气体，其中2 路为反应气体，1 路为载气，气体流量可调（1sccm-200sccm），沉积室压力调节范围： 0.5～100Pa。 | 主要附件 | 无 | 功能特色 | 借助射频电源产生的低温等离子体，增强反应物质的活性，从而使低温下在基片上生长薄膜成为可能。本设备可满足各种薄膜沉积工艺的应用，适合于在实验室研发中的小批量生产。 | 样品要求 | 无 |
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