深能级瞬态谱仪
发布者:系统管理员发布时间:2013-05-30浏览次数:18451
| 仪器中文名称: 深能级瞬态谱仪 |
仪器英文名称:Deep Level Transient Spectroscopy |
规格型号: HERA DLTS FT-1030 | 产地: 德国 |
生产厂商: Phys Tech GmbH | 仪器原值: 929000.00 |
应用领域: 半导体材料学、半导体器件应用 | 使用方式: 对外开放 |
运行状态: 正常 | 收费标准: 校内300元 / 小时 |
所在单位: 硅材料国家重点实验室 | 仪器负责人: 余学功 |
安放地点: 硅材料国家重点实验室1号楼203室 | 联系电话: 0571-87953003 |
启用日期: 2012-10-17 | Email: yuxuegong@zju.edu.cn |
设备信息
仪器主要用途 | 深能级瞬态谱仪(DLTS)是检测半导体材料中深能级杂质和晶体缺陷的最有用的方法。 可用于检测太阳能电池材料中的各种杂质和缺陷,包括金属杂质以及点缺陷和位错的等各种缺陷类型,从而分析影响少子寿命的关键性杂质元素和缺陷。 可以得到陷阱密度及其深度分布,陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面等信息。
| 主要技术指标 | 脉冲发生器:电压范围:±100 V (±0.3m V ) 脉冲宽度:1 µs - 1000 s 电容测量:高频信号:1 MHz 电容补偿范围 1pF- 4200 pF灵敏度: 0.01 fF 温度范围:20K - 450K 有多种测试功能:测试功能:电容模式、定电容模式、电流模式、(双关联模式)、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS
| 主要附件 | | 功能特色 | | 样品要求 | 制备成pn结/肖特基结/MIS结(包含电极),尺寸小于1.5cm×1.5cm |
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