微波光电导衰减寿命测试仪

发布者：系统管理员发布时间：2013-05-30浏览次数：6814

	仪器中文名称: 微波光电导衰减寿命测试仪
	仪器英文名称:Microwave PhotoConductivity Decay
	规格型号: WT-2000mPCD&cPCD	产地: 匈牙利
	生产厂商: Semilab	仪器原值: 130万
	应用领域: 半导体学	使用方式: 对外开放
	运行状态: 正常	收费标准: 200元/样品
	所在单位: 硅材料国家重点实验室	仪器负责人: 余学功
	安放地点: 硅材料国家重点实验室2号楼203室	联系电话: 0571-87953003
	启用日期: 2004-11-01	Email: yuxuegong@zju.edu.cn

设备信息

仪器主要用途	mPCD用来测试硅片的有效少子寿命; CPCD用来测试样品的体少子寿命 LBIC 光诱导电流，反射率，计算电池内外量子效率硅片沾污或体内缺陷表征测定硅片[Fei]含量
主要技术指标	激光脉冲波长为904nm 样品为Si, Ge; 被测样品电阻率的范围为0.1－1000Ωcm，测试寿命的范围为0.1μs－30ms 金属杂质的探测极限能达到10⁹cm^-3 高分辨率，最小扫描步径可达62.5 μm，并拥有极快的扫描速度。
主要附件	Charge管和样品台
功能特色	适合于测试Si、Ge等间接禁带半导体；可扫描直径小于300 mm的片状样品；金属杂质[Fei]探测灵敏度高 LBIC表征太阳电池缺陷
样品要求	（1）mPCD所能测试的样品，从 8英寸到一般切割的小样品(1cm×1cm）都可以。一般机械抛光，化学抛光或研磨面的样品都可以测试，但样品必须是轻掺，重掺（电阻率小于0.1Ωcm）和重掺衬底的外延片都不行。（2）CPCD所能测试的样品限于3，4，6，8英寸。一般硅片表面要形成自然氧化层或生长一层带电荷的薄膜。