江苏大学左然教授访问硅材料国家重点实验室

发布者:系统管理员发布时间:2010-12-03浏览次数:11067

1130日,江苏大学左然教授访问了硅材料国家重点实验室,并做了题为“晶体硅生长的计算机模拟和优化”的学术报告。他在报告中介绍了他的研究小组采用CGSim晶体生长模拟软件在直拉法生长单晶硅和定向凝固法生长多晶硅的晶体生长优化和模拟仿真方面所做的一系列工作。由于目前微电子和太阳电池用的硅晶体尺寸持续增加,采用实验方法进行晶体生长的优化非常昂贵并且耗时。而利用计算机数值模拟,能够快速而经济地再现各种晶体生长过程,并预测在各种晶体生长条件下的物理过程,包括:熔体中的传热传质、气体流场、热应力和缺陷的形成等。计算机模拟和优化的结果能够指导产业界优化晶体生长过程,具有十分重要的意义。
左然教授于1992年在美国东北大学取得博士学位,现任江苏大学能源动力学院热物理系教授、博导,江苏省能源研究会理事。左然教授及其课题组在晶体硅生长的数值模拟和优化领域开展了大量研究工作,已在国内外发表论文30多篇,是我国主要的从事硅晶体生长的计算机模拟及优化的研究小组之一。
来自硅材料国家重点实验室的老师和研究生参加了此次报告会。老师和同学们对左然教授的报告表现出浓厚的兴趣,提出了一系列问题与左然教授进行讨论。此次报告会拓宽了研究生的视野,使他们对材料的计算机模拟与优化有了更多的了解。