2010年5月10日至15日，俄罗斯国家科学院Ioffe物理技术研究所N. A. Sobolev教授对硅材料国家重点实验室开展了为期一周的访问。访问期间，Sobolev教授参观了硅材料国家实验室，并与杨德仁教授就当前硅材料科学研究等感兴趣的话题进行了深入的讨论，并达成了进一步科研合作意向。
Sobolev教授分别于2010年5月11日和14日做了“Structural and Luminescent Properties of Implanted Silicon Layers with Dislocation-Related Luminescence”和“The hypothesis about the prevention of non-radiative carrier recombination in Si”的学术报告，受到师生欢迎。
介绍：Sobolev博士是在硅中离子注入铒研究方面最具权威的科学家之一。Sobolev博士作为俄罗斯科学院Ioffe 物理技术研究所半导体缺陷工程研究方向负责人，主要研究半导体材料中缺陷、半导体材料离子注入、半导体器件等。曾获得ISTC, CRDF, INTAS, RFBR等多项奖励，并在APL、PRL等国际著名刊物发表论文244篇，拥有11项发明专利，著作两本（《半导体功率器件》和《半导体缺陷工程》）。
浙江大学硅材料国家重点实验室
2010年5月16日
