2009年12月19日-26日，比利时Ghent大学Solid State Science系教授，国际著名硅材料专家Jan Vanhellemont教授，在中比自然科学基金国际合作项目支持下，访问了硅材料国家重点实验室。
Ghent大学是比利时最著名的大学之一。Jan Vanhellemont教授推动了浙江大学与Ghent大学的国际合作，两所大学每年都派学生到对方学校互相交流。Jan Vanhellemont教授在Ghent大学工作多年，主要从事Ge单晶相关缺陷的研究，在国际知名杂志上发表数百篇学术论文。Vanhellemont教授和硅材料国家重点实验室有着长期的合作关系，在自然科学基金国际合作项目和重点项目支持下，合作开展微量掺锗直拉硅单晶的缺陷问题研究，并在国际学术杂志共同发表研究论文。2006年5月，Vanhellemont教授在硅材料实验室进行了近一个月的工作访问。
Vanhellemont教授于22日做了题为“Vacancy cluster formation during Czochralski silicon (and germanium) crystal growth”的报告，介绍了Ghent大学以及CZ硅单晶生长中空位团聚的形成过程。来自硅材料国家重点实验室的老师和学生参加了此次报告会，参会者对Vanhellemont教授的报告很感兴趣，大家提出一系列问题与Vanhellemont教授讨论。报告会后，部分同学和Vanhellemont教授进行了进一步的沟通和交流。通过这次来访，Vanhellemont 教授深入了解了硅材料实验室研究新进展，探讨了下一步合作研究计划和内容，表示明年继续来实验室访问。
浙江大学硅材料国家重点实验室
2009年12月26日
