杨德仁教授荣获2005年度国家自然科学奖二等奖

硅单晶是集成电路、微电子的关键基础材料，对国家科技、工业和国防等起着举足轻重的作用。

80年代末期我国在国际上独创减压充氮生长直拉硅单晶，首次将掺氮直拉硅单晶产业化。但是，氮原子进入硅单晶，引起了新的科学现象和问题，关于它们的研究，当时在国际上几乎是空白。

自1991年起，在国家自然科学基金重点项目等的支持下，本项目在国际上首先系统开展了掺氮直拉硅单晶相关缺陷与性能的基础理论研究，如：证明氮影响直拉硅单晶的载流子稳定，提出氮对微缺陷抑制机理、发现独特内吸杂机制等等。系列创新成果，在科学上揭示了掺氮直拉硅单晶缺陷的结构、性质和作用，形成了较完整的对掺氮直拉硅单晶相关缺陷物理内涵的认识，解决了掺氮直拉硅单晶在超大规模集成电路中应用的基本科学问题。这些理论研究成果造成了在国际上的独特影响，英国皇家学会院士R.C.Newman等著名教授在综述性论文中，都引用本项目成果。本项目研究成果也在国际产业界得到重视，从2000年以来，国际上主要的硅单晶公司基本都在应用掺氮直拉硅单晶，其中包括国际前三位最大的硅材料公司（SEH等）。掺氮硅单晶已经在国际产业界得到广泛应用，成为国际硅单晶一种重要品种。

这是由中国人首先系统研究、形成较完整理论认识，并促进在国际产业界实际广泛使用的成果，具有重要的科学意义和重大的社会效益。