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第十届全国硅基光电子材料及器件研讨会在贵阳顺利召开

编辑:admin 日期:2015-07-22 17:05 访问次数:46323

7月7日至7月9日,由北京大学介观物理国家重点实验室(北京大学物理学院)和浙江大学硅材料国家重点实验室(浙江大学材料学院)主办、贵州大学理学院承办的第十届全国硅基光电子材料及器件研讨会在贵阳顺利召开。
在会议开幕式上,由浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授致开幕词。杨德仁教授首先向参加本次会议的各位学者和研究生致以诚挚的欢迎,然后回顾了“全国硅基光电子材料及器件研讨会”的起源和历史,以及硅基光电子材料和器件领域近年来的发展。在开幕式的最后,杨教授还着重强调了各领域交叉交流合作对于硅基光电子领域发展的重要意义,并且对于今后的发展趋势作出了展望。
来自北京大学的秦国刚院士、南京大学的徐骏教授、中科院半导体所的薛春来教授、华中科技大学的夏金松教授等40多位来自国内外的专家学者,与会人数达100余人。大会总共分为“硅基发光材料及器件”、“硅基微纳尺度下的光传输与控制”、“硅基光子学器件”、“硅基异质结构材料制备和器件” 、“硅基光电集成技术及应用”和“以光电子集成化为目标的新型硅基微电子材料、器件及工艺技术”等6个专题。本次会议分别邀请到了来自中科院半导体所的陈弘达教授、复旦大学的蒋最敏教授、北京大学的周治平教授和State University of New York Polytechnic Institute的Mengbing Huang(黄孟冰)等教授等进行了8场特邀报告,还进行了18场口头报告。除了进行报告之外,会议还进行了一次墙报展示活动,共有来自北京大学、浙江大学、南京大学、厦门大学、华中科技大学等高校的20位研究生以墙报的形式,向参会者展示了他们在硅基光电子材料和器件方面所做出的最新进展。
经过会议评审,来自北京大学的陶利同学、华中科技大学的陈巨光同学和南开大学的靳春燕同学获得了本次大会设立的“优秀墙报展示奖”。

本次大会在最后还进行了一次以“硅上直接带隙材料的外延与受激辐射;Ⅳ族合金以及Ⅲ-Ⅴ族化合物”为主题的专题讨论。在专题讨论中,围绕着这一主题,各位专家学者和研究生纷纷发言,探讨了目前发展的最新成果以及今后发展的方向。随着专题讨论的结束,第十届全国硅基光电子材料及器件研讨会也落下了帷幕。 


 
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