本站首页 浙大首页 实验室介绍 实验室简报 联系我们 English Version
动态新闻
阙端麟先生九十诞辰纪念会暨时创奖学金捐赠仪式 2017-05-23
实验室与岛津(中国)签订合作协议 2017-03-29
第二届硅基微纳结构及其应用研讨会成功举办 2017-01-12
硅材料钱国栋教授和严密教授分获两项国家奖 2017-01-10
   
通知公告
   
   
 
 

“微量掺锗直拉硅单晶”获2015年浙江省技术发明一等奖

编辑:admin 日期:2016-03-28 08:08 访问次数:5664

 2016323日,浙江省委、省政府隆重举行全省科学技术奖励大会。浙江省委副书记、省长李强等为获奖单位和个人颁奖。浙江大学材料学院/硅材料国家重点实验室杨德仁教授团队研发的“微量掺锗直拉硅单晶”项目获2015年浙江省技术发明一等奖。

直拉硅单晶是微电子和光伏产业的基础材料,数十年来,国内外通常认为:直拉硅单晶生长时除了掺杂剂以外应尽量避免其它杂质的引入,这样才能提高硅晶体质量以及器件的性能。杨德仁教授的团队在10多年前就在国际上首先提出"有意掺入微量锗杂质来调控直拉硅单晶中缺陷"的新思路,发明了微量掺锗直拉硅单晶及系列技术。通过系统研究和开发,实现了直径150-300 mm掺锗直拉硅单晶的生长,阐明了微量掺锗抑制空洞型缺陷等规律,提出了调控直拉硅单晶中缺陷的"杂质工程"的新概念。在此基础上,发明了微量掺锗直拉硅单晶的外延、吸杂等微电子器件相关的技术,实现其在微电子产业中的应用。利用掺锗实现重掺直拉硅单晶的晶格畸变补偿,制备了无失配位错的厚外延片;发明的吸杂工艺使掺锗硅片在近表面形成无缺陷区,在体内形成高密度的吸杂点,能有效吸除有害金属。而且,发明了微量掺锗直拉硅单晶的低光衰减、薄片化等太阳能电池相关的技术,实现其在光伏产业中的应用。通过掺锗抑制直拉硅单晶中硼-氧复合体的产生,使太阳能电池效率的光衰减量得到降低;掺锗提高硅片的机械强度,其碎片率明显得到降低。


 
版权所有:浙江大学硅材料国家重点实验室 地址:浙江大学玉泉校区内 您是本站第位访客
电子邮件:silicon_lab@zju.edu.cn 电话/传真:0571-87951667 邮编:310027 技术支持:创高软件