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杨德仁教授课题组的一项发明专利获中国专利优秀奖

编辑:admin 日期:2014-01-03 09:09 访问次数:5033

     国家知识产权局公布第十三届中国专利奖评选结果,浙江大学共有三项专利获奖,其中杨德仁教授课题组的一种微量掺锗直拉硅单晶明专利荣获中国专利优秀奖。“中国专利奖”由国家知识产权局设立,是我国唯一一个专门对授予专利权的发明创造给予奖励的政府奖,得到联合国世界知识产权组织(WIPO)认可,在国际上有一定影响。该奖项评奖标准强调专利技术创新,注重专利的应用与社会经济效益,同时强调专利保护和管理。
     微量掺锗直拉硅单晶技术是该课题组经过10多年的研发而取得的成绩,具有我国自主的知识产权技术指标达到/超过国际同类产品,技术水平达到国际领先,该技术对发展我国特色的直拉硅单晶新产品具有非常重要的实际意义。跟常规的直拉单晶硅相比,掺锗直拉硅单晶对金属杂质的内吸杂能力较强;提高了MOS器件栅极氧化层的完整性;能生长无适配位错的厚外延层,提高集成电路、分立器件的成品率;有效地抑制电池的光致效率衰减,提高了电池组件的功率输出;具有更高的机械强度,在微电子领域能提高硅片在微、纳米尺度的高精度加工性能,同时在太阳能领域为生产更薄太阳能电池片提供了途径。这些优点使得掺锗直拉硅半导体市场具有非常强的竞争力,在国内两家半导体领域的龙头企业实现了规模化生产,形成了相当的经济规模。满足了国内微电子和光伏市场的需求,直接推动了我国半导体硅材料和器件行业的技术进步和产业升级。


 
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